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- 정의-ReRAM (Resistive Random Access Memory)이란 무엇입니까?
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- Techopedia는 ReRAM (Resistive Random Access Memory)을 설명합니다.
정의-ReRAM (Resistive Random Access Memory)이란 무엇입니까?
RRAM / ReRAM (Resistive Random Access Memory)은 비 휘발성으로 설계된 새로운 유형의 메모리입니다. 여러 회사에서 개발 중이며 일부는 이미 자체 기술 버전의 특허를 받았습니다. 메모리는인가 된 전압에 따라 저항이 변하는 Memresistor (메모리 저항)라고하는 특수 유전체 재료의 저항을 변경함으로써 작동합니다.
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Techopedia는 ReRAM (Resistive Random Access Memory)을 설명합니다.
RRAM은 영구적으로 손상되지 않고 유전체 파괴가 발생하면 실패하는 새로운 종류의 유전체 재료의 결과입니다. Memresistor의 경우, 유전체 파괴는 일시적이며 가역적입니다. 전압이 고막에 의도적으로인가 될 때, 필라멘트 라 불리는 미세한 전도성 경로가 재료 내에 생성된다. 필라멘트는 금속 이동 또는 물리적 결함과 같은 현상으로 인해 발생합니다. 다른 외부 전압을 적용하여 필라멘트를 끊거나 뒤집을 수 있습니다. 디지털 데이터의 저장을 가능하게하는 것은 필라멘트의 대량 생성 및 소멸입니다. 막힘 특성을 갖는 물질은 티타늄 및 니켈의 산화물, 일부 전해질, 반도체 물질, 및 몇몇 유기 화합물조차도 이러한 특성을 갖는 것으로 테스트되었다.
다른 비 휘발성 기술에 비해 RRAM의 주요 장점은 높은 스위칭 속도입니다. 멤 레지스터의 두께가 얇기 때문에 플래시 메모리보다 높은 스토리지 밀도, 더 높은 읽기 및 쓰기 속도, 더 낮은 전력 사용 및 저렴한 비용으로 큰 잠재력을 가지고 있습니다. 플래시 메모리는 자료의 한계 때문에 계속 확장 할 수 없으므로 RRAM은 곧 플래시 메모리를 대체 할 것입니다.